架起TSV与传统WLFO/FOWLP之间的桥梁

我们获奖的硅晶圆集成扇出技术(斯威夫特)®/HDFO)技术旨在在减少占地面积和外形的情况下,为单个和多个模具应用提供更高的I/O和电路密度.

斯威夫特® 该技术能够创建先进的3D结构, 解决在新兴的移动和网络应用中增加集成电路集成的需求. 斯威夫特的鲜明特点® 是由于, 在某种程度上, 与这种创新的晶圆级封装技术相关联的精细功能. 这允许咄咄逼人 设计规则 被应用,与传统相比 WLFO 和laminate-based组件.

独特的迅速® 功能包括:

  • 聚合物电介质
  • 多模、大模能力
  • 大车身封装能力
  • 互连密度降至2/2 μm
  • 铜柱 模具互连至30 μm间距
  • 3D/Package-on-Package 能力利用通过模具通过(TMV®)或高大的铜柱
  • 符合JEDEC MSL2a和MSL3的CLR和BLR要求

为斯威夫特启用技术® 包装:

关键装配技术使这些独特的斯威夫特得以创建® 特性. 使用步进照相成像设备, 可实现2/2 μm线/空间特性, 实现SoC分区和网络应用所需的高密度模对模连接 2.5 d TSV 通常会用到. 细距模具微凸点为先进产品提供了高密度互连, 例如应用程序处理器和基带设备. 除了, 高铜柱使高密度垂直接口能够在斯威夫特顶部安装高级存储设备® 结构.

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